O desenvolvimento de circuitos integrados, que consumam menos energia, tem atraído grande interesse em indústrias eletrônicas, automobilísticas e aeroespaciais. Entre os inúmeros materiais ferroelétricos, o Bi4Ti3O12 puro e dopado com lantânio que possui estrutura ortorrômbica do tipo perovskita, tem potencialidade para estas aplicações. Porém, a disposição dos domínios ferroelétricos e os defeitos gerados durante a obtenção da fase cristalina do tipo vacâncias de oxigênio, dipolos complexos e cargas espaciais interferem na eficiência da memória ferroelétrica. Portanto, neste estágio propõe-se estudar com o emprego do microscópio de força atômica como estes parâmetros (defeitos e disposição dos domínios) afetam as características ferroelétricas desenvolvidas por estes filmes. (AU)

O desenvolvimento de circuitos integrados, que consumam menos energia, tem atraído grande interesse em indústrias eletrônicas, automobilísticas e aeroespaciais. A maioria destes circuitos integrados utilizam memórias ferroelétricas de acesso aleatório (FeRAMS) e memória dinâmica de acesso aleatório (DRAMs). Estes dispositivos são empregados em telefones celulares, "notebooks" e cartões inteligentes, devido as suas excelentes propriedades como não volatilidade, rápida leitura e gravação de dados, baixa voltagem de operação e a menor energia despendida no processo operacional. Desta forma, a preparação de materiais que acelerem o processo de leitura e gravação dos dados, vem se mostrando promissora para diminuir o consumo de energia quando comparado ao dispositivo EEPROM que é uma memória exclusiva de leitura, programável e apagável eletricamente que requer dois transistores para armazenamento dos bits. Entre os inúmeros materiais ferroelétricos, o Bi4Ti3O12 que possui estrutura ortorrômbica do tipo perovskita, tem potencialidade para estas aplicações. Portanto, propõe-se estudar a formação de filmes finos ferroelétricos de Bi4Ti3O12 puro e dopados com La em baixas temperaturas, com fase cristalina orientada tendo como precursora solução orgânica de citratos, conhecida como "método dos precursores poliméricos". (AU)

LiNbO3 e KNbO3 são importantes materiais ferroelétricos que vêm sendo aplicado em guias de onda planares, duplicadores de freqüência e dispositivo de armazenamento holográfico por possuírem certas propriedades, tais como: polarização espontânea, temperatura de curie, constante dielétrica, coeficiente eletroóptico e birefrigência. Visando superar os problemas encontrados pelos métodos físicos de deposição de filmes finos, tais como: dificuldades no controle estequiométrico, alta temperatura de tratamento térmico e alto custo dos equipamentos propõe-se estudar o processo de cristalização e densificaçâo dos filmes de KNbO3 e LiNbO3 dopado com Mg , processados pelo método Pechini. A adição de Mg, em baixas concentrações, ao LINbO3 melhora a transparência do filme, aumenta a transmitância e aumenta o índice de refração do filme. Os filmes obtidos serão caracterizados primeiramente quanto à formação de fases cristalinas e epitaxia por DRX e quanto ao tamanho de grão e densificaçâo por MEV e MET. (AU)